Vorstellung eines nichtflüchtigen Speichers

[kikakater]

ReRAM als Flash-Speicher-Alternative

Die ReRAM-Zelle von Fujitsu besteht aus einem Transistor (im Bild unten, "Tr") und einer vierlagigen Schichtstruktur, bei der zwischen zwei äußerem Platinfilmen eine Titanoxid- und eine Titan-dotierte Nickeloxidschicht liegen. Laut den Fujitsu-Forschern lässt sich diese 1T1R-Zelle innerhalb von 5 Nanosekunden löschen, der dazu nötige Strom soll weniger als 100 Mikroampere betragen; außerdem konnten sie die Schwankungen des Widerstandswertes auf ein Zehntel des bei anderen ReRAM-Zellen üblichen reduzieren.
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Das Samsung-Team setzt unterdessen bei ihrem Resistive RAM auf so genannte Oxid-Dioden statt auf Transistoren (1D1R), während die Matsushita-Entwickler Eisenoxid als eigentliches Speichermaterial nutzen wollen.