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kikakater 05.11.2007 14:14

Vorstellung eines nichtflüchtigen Speichers
 
Forscher stellen Widerstands-basierten Speicher vor

Zitat:

Läuft alles gut, so könnten entsprechende Speicherchips schon in wenigen Jahren in Computern, Notebooks und MP3-Playern zu finden sein, meint zumindest Michael Kozicki.

str1ker 05.11.2007 14:47

:o

rev.antun 06.11.2007 12:33

oidaaaa, ur fad gibt es schon uuuuuurrrr lang :p





http://www.nurfuerkurzezeit.de/asset...speicher-2.jpg


http://www.computermuseum-mannheim.d...bm_ring_2g.jpg

trittico 03.12.2007 19:04

:D

TONI_B 03.12.2007 19:25

Laaange Leitung: ein Monat vom Scherz bis zum Lachen! :cool:

chrisne 03.12.2007 21:10

:rofl:

trittico 04.12.2007 15:11

Zitat:

Original geschrieben von TONI_B
Laaange Leitung: ein Monat vom Scherz bis zum Lachen! :cool:
so nicht so gemein. bin ja seit ein paar tagen hier angemeldet :p

rev.antun 04.12.2007 16:33

Zitat:

Original geschrieben von TONI_B
Laaange Leitung: ein Monat vom Scherz bis zum Lachen! :cool:
waar nicht mal ein monat :D ausserem siehst gleich das die "nichtflüchtigen" speicher halten :lol:

Baron 04.12.2007 19:54

Aber nur bei "flüchtiger" Betrachtung!
Schon einem deiner Härtetests (flatu...) unterzogen?:D
SCNR!

kikakater 14.12.2007 22:10

ReRAM als Flash-Speicher-Alternative

Zitat:

Die ReRAM-Zelle von Fujitsu besteht aus einem Transistor (im Bild unten, "Tr") und einer vierlagigen Schichtstruktur, bei der zwischen zwei äußerem Platinfilmen eine Titanoxid- und eine Titan-dotierte Nickeloxidschicht liegen. Laut den Fujitsu-Forschern lässt sich diese 1T1R-Zelle innerhalb von 5 Nanosekunden löschen, der dazu nötige Strom soll weniger als 100 Mikroampere betragen; außerdem konnten sie die Schwankungen des Widerstandswertes auf ein Zehntel des bei anderen ReRAM-Zellen üblichen reduzieren.
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Das Samsung-Team setzt unterdessen bei ihrem Resistive RAM auf so genannte Oxid-Dioden statt auf Transistoren (1D1R), während die Matsushita-Entwickler Eisenoxid als eigentliches Speichermaterial nutzen wollen.


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