AMD-Forscher beschleunigen Transistoren um 30 Prozent

[maXTC]

Mit einer verfeinerten SOI-Technik konnte AMD herkömmliche PMOS-Transistoren (P-Kanal Metall-Oxid) um bis zu 30 Prozent beschleunigen. Das Verfahren wollen die AMD-Forscher auf dem im Juni stattfindenden VLSI-Symposium vorstellen und erste Prototypen zeigen. Inwieweit die AMD-Prozessoren damit schneller sind als die TeraHertz-Transistoren, die Intel im letzten Jahr auf dem IEDM vorführte, wird man sehen müssen. Es handelt sich dabei allerdings noch nicht um die erst für Ende der Dekade vorgesehene FinFET-Technik, die kleinste Gate-Längen von 10 nm und weniger ermöglichen soll. Fachleute vermuten für die neuen AMD-Transistoren Gate-Längen von etwa 25 nm.

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