Vorstellung eines nichtflüchtigen Speichers

[kikakater]

Forscher stellen Widerstands-basierten Speicher vor

Läuft alles gut, so könnten entsprechende Speicherchips schon in wenigen Jahren in Computern, Notebooks und MP3-Playern zu finden sein, meint zumindest Michael Kozicki.

[str1ker]

[rev.antun]

oidaaaa, ur fad gibt es schon uuuuuurrrr lang

[trittico]

[TONI_B]

Laaange Leitung: ein Monat vom Scherz bis zum Lachen!

[chrisne]

[trittico]

Original geschrieben von TONI_B
Laaange Leitung: ein Monat vom Scherz bis zum Lachen!

so nicht so gemein. bin ja seit ein paar tagen hier angemeldet

[rev.antun]

Original geschrieben von TONI_B
Laaange Leitung: ein Monat vom Scherz bis zum Lachen!

waar nicht mal ein monat ausserem siehst gleich das die "nichtflüchtigen" speicher halten

[Baron]

Aber nur bei "flüchtiger" Betrachtung!
Schon einem deiner Härtetests (flatu...) unterzogen?
SCNR!

[kikakater]

ReRAM als Flash-Speicher-Alternative

Die ReRAM-Zelle von Fujitsu besteht aus einem Transistor (im Bild unten, "Tr") und einer vierlagigen Schichtstruktur, bei der zwischen zwei äußerem Platinfilmen eine Titanoxid- und eine Titan-dotierte Nickeloxidschicht liegen. Laut den Fujitsu-Forschern lässt sich diese 1T1R-Zelle innerhalb von 5 Nanosekunden löschen, der dazu nötige Strom soll weniger als 100 Mikroampere betragen; außerdem konnten sie die Schwankungen des Widerstandswertes auf ein Zehntel des bei anderen ReRAM-Zellen üblichen reduzieren.
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Das Samsung-Team setzt unterdessen bei ihrem Resistive RAM auf so genannte Oxid-Dioden statt auf Transistoren (1D1R), während die Matsushita-Entwickler Eisenoxid als eigentliches Speichermaterial nutzen wollen.