erzählts ma bitte was über DDR, R & SL RAM

ascii · 12.06.2002, 20:32

DDR (Double Data Rate) – SDRAM

Intern sind sie aus vier unabhängigen Bänken aufgebaut, die parallel Instruktionen abarbeiten können. Das Prinzip der DDR-SDRAMs beruht auf der Erweiterung der Bandbreite durch Nutzung beider Taktflanken ® Verdopplung des Datendurchsatzes gegenüber SDRAM.
Durch den Datentransfer bei beiden Flanken des Taktsignals sind Laufzeitverzögerungen sehr kritisch. Im Gegensatz zu SDRAM, nutzt DDR-SDRAM deshalb für die Synchronisierung des Datentransfers nicht nur den normalen Systemtakt, sondern ein zusätzliches so genanntes bidirektionales Strobe-Signal DQS welches parallel zu den Daten läuft. Der grundlegende Nutzen von DQS ist das Ermöglichen eines Highspeed-Datentransfers für jeden Datenpin. Dies geschieht durch die Reduzierung von Zugriffszeit und Laufzeitverzögerung zwischen Speicher und Chipsatz. Außerdem ist durch das Strobe-Signal ein leichtes Abdriften des Bustaktes zwischen Chipsatz und Speicher unproblematisch.
Um das exakte Timing zwischen Daten-Strobe-Signal DQS und Daten DQ zu ermöglichen, müssen beide die gleichen physikalischen Bedingungen, wie Leiterbahnlänge und -kapazität vorfinden. Änderungen in der Umgebung durch Temperatur- oder Spannungsschwankungen wirken sich deshalb auf DQS und DQ gleichermaßen aus ® keine zusätzlichen Timing Probleme ® sicherer.
Bei einem Lesebefehl generiert und steuert das DDR-SDRAM das bidirektionale Strobe-Signal und zeigt dem Chipsatz mit der steigenden und fallenden Flanke die gültigen Daten DQ an. Umgekehrt verhält es sich bei einem Schreibvorgang. Beim Schreiben müssen die Daten allerdings beim jeweiligen Flankenwechsel des DQS schon am Datenpin des Speichers anliegen
Spitzenwerte in der Transferrate von PC200/266-Modulen (1,6 bzw. 2,1 GByte/s) sind natürlich nur zwischen Chipsatz und Speicher möglich. Der weitere Transfer der Daten zum Prozessor oder der Grafikkarte via AGP-Bus entspricht den Transferraten von PC100/133-SDRAM. Moderne Chipsätze können durch ihre Pipeline-Architektur die eingelesenen Daten puffern und an verschiedene Empfänger abgeben. Deutliche Performance-Vorteile sind deshalb in sehr speicher- und grafikintensiven Multitasking-Umgebungen zu erwarten.
DDR-SDRAM basieren auf Standard-SDRAM und verwenden ebenfalls DIMM-Platinen für Speichermodule.

12.06.2002, 20:32	#1
ascii Veteran Registriert seit: 12.04.2002 Alter: 42 Beiträge: 324	DDR (Double Data Rate) – SDRAM Intern sind sie aus vier unabhängigen Bänken aufgebaut, die parallel Instruktionen abarbeiten können. Das Prinzip der DDR-SDRAMs beruht auf der Erweiterung der Bandbreite durch Nutzung beider Taktflanken ® Verdopplung des Datendurchsatzes gegenüber SDRAM. Durch den Datentransfer bei beiden Flanken des Taktsignals sind Laufzeitverzögerungen sehr kritisch. Im Gegensatz zu SDRAM, nutzt DDR-SDRAM deshalb für die Synchronisierung des Datentransfers nicht nur den normalen Systemtakt, sondern ein zusätzliches so genanntes bidirektionales Strobe-Signal DQS welches parallel zu den Daten läuft. Der grundlegende Nutzen von DQS ist das Ermöglichen eines Highspeed-Datentransfers für jeden Datenpin. Dies geschieht durch die Reduzierung von Zugriffszeit und Laufzeitverzögerung zwischen Speicher und Chipsatz. Außerdem ist durch das Strobe-Signal ein leichtes Abdriften des Bustaktes zwischen Chipsatz und Speicher unproblematisch. Um das exakte Timing zwischen Daten-Strobe-Signal DQS und Daten DQ zu ermöglichen, müssen beide die gleichen physikalischen Bedingungen, wie Leiterbahnlänge und -kapazität vorfinden. Änderungen in der Umgebung durch Temperatur- oder Spannungsschwankungen wirken sich deshalb auf DQS und DQ gleichermaßen aus ® keine zusätzlichen Timing Probleme ® sicherer. Bei einem Lesebefehl generiert und steuert das DDR-SDRAM das bidirektionale Strobe-Signal und zeigt dem Chipsatz mit der steigenden und fallenden Flanke die gültigen Daten DQ an. Umgekehrt verhält es sich bei einem Schreibvorgang. Beim Schreiben müssen die Daten allerdings beim jeweiligen Flankenwechsel des DQS schon am Datenpin des Speichers anliegen Spitzenwerte in der Transferrate von PC200/266-Modulen (1,6 bzw. 2,1 GByte/s) sind natürlich nur zwischen Chipsatz und Speicher möglich. Der weitere Transfer der Daten zum Prozessor oder der Grafikkarte via AGP-Bus entspricht den Transferraten von PC100/133-SDRAM. Moderne Chipsätze können durch ihre Pipeline-Architektur die eingelesenen Daten puffern und an verschiedene Empfänger abgeben. Deutliche Performance-Vorteile sind deshalb in sehr speicher- und grafikintensiven Multitasking-Umgebungen zu erwarten. DDR-SDRAM basieren auf Standard-SDRAM und verwenden ebenfalls DIMM-Platinen für Speichermodule.

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