32nm Fertigungsprozess von IBM, AMD & Co.

[kikakater]

IBM, AMD & Co. ab 2009 mit 32-nm-Prozess

Basierend auf einem so genannten „High-K Gate-First“-Prozess soll die neue Methode einen einfacheren und schnelleren Weg zum Wechsel auf 32nm und „High-K/Metal Gate“-Technologie eröffnen. Im Rahmen der Siliziumplanartechnologie wird das Gate standardmäßig als erstes platziert (Gate-First). Anhand der Gate-Position können Source und Drain ohne weiteres korrekt platziert werden (self-alignment). Das Problem: die Dotierung der Source/Drain-Gebiete erfolgt bei Temperaturen, die zwar dem bisher genutzten Polysilizium-Gate nichts aus machen, einem Metal Gate jedoch Probleme bereiten. Intel musste deshalb bei seiner im Penryn/Yorkfield eingesetzten 45-nm-Technologie (P1266) auf eine Gate-Last Herstellung umschwenken. IBM ist es anscheinend gelungen, dieses Problem zu umgehen.