@QuickNick
Unsere Beiträge haben sich schon weit von der Hilfe eines Anwenders zu komplexerem ergeben. - Ich wollte weiters Aufzeigen, dass es nicht immer ganz einfach ist Halbleiter zu dimensionieren und einigen Lesern etwas Interessantes über Dioden usw. zeigen.
Unter idealen Bedinungen:
-)extrem konstante Versorgungsspannungen (2 Batterien)
-)Keine Bauteiltoleranzen die wesentlichen Einfluss haben
-)vernachlässigbare Eigenerwärmung und Abweichung von der Normtemp.
gilt natürlich:
Uled=3V (@10..20mA) & Ub=3V Rv=0 Ohm (nicht umbedingt nötig !!!!)
@Gandalf
If(T) ist die Größe des Diodenstromes (mit Amperemeter nachmessbar)
Ube=Spannungsabfall an der Diode bei If(T) (messbar)
Rest: Rechenwerte/Materialkonstanten für Kennlinienbestimmung.
Io(T) entspricht dem Sperrstrom bei ca. -5V oder
in einfachlogaritmischer Darstellung (If(T)=f(Ube) enspricht Gerade) der Verlängerung der Kennline auf Ube=0V. -> für 23°C:
Io(T)=10nA für Si
Io(T)=10uA für Ge
Sorry zu "Io ca. 10nA für Si bei Normtemp. (bei Verdoppelung der Temp. -> 10facher Io !!)
Ube=Diodenspg. (bei 2xTemp.-> Ube wird um ca. 70...150mV kleiner !!)"
Es muss korrekt heißen:
Io(T) ca. 10na (Si) @23°C (bei Temperaturhöhung um 10K (10°C) -> doppelter Io(T) )
Ube=Diodenspg. (bei 10K Temp.erhöhung -> Ube wird um ca. 70...150mV kleiner !!)
Für Gleichstromdimensionierung gilt natürlich R=Ube/If ca.min.100 Ohm
Anmerkung:
rd=Ut/If ca.min.2 Ohm, rd wird zur Berechnung bei Wechselstrom benötigt (gilt auch für Transistoren aller Art) bzw. ist rd ein wichtiger Kennwert von Z-Dioden.
Bei einer Temp.drift von If bzw. Ube dürfte eine Kombination von beiden gelten.
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Wie gesagt Beitrag war nur Vertiefung für Freaks und Interessierte.
Danke für Korrekturanregungen.
Viel Glück unseren Bastlern bei Rv=(Ub-Ube)/If und auf nächstgrößeren Wid. aufrunden !
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