Also die Fertigungstechnologie (in um oder nm) gibt ab, wie gross der kleinste Abstand der Strukturen auf dem Chip ist. Die Spannung (eben zum Beispiel 6.5KV) gibt die normale Betriebsspannung an, welche im Betrieb über dem gesamten Chip anliegen darf (nominell, inoffiziell halten die Dinger auch etwas mehr aus
).
Das sind aber zwei paar Schuhe, die Spannung von 6.5KV verteilt sich über die gesamte Dicke vom Chip, also vom Emitter bis zum Kollektor, während die 1um den Abstand der beiden P+ Regionen direkt unter dem Gate bezeichnen.
Von diesen Zellen (eben diesen P+ Regionen direkt unter dem Gate) braucht man sehr viele, weil durch diese dann eben der Strom fliesst. Damit nun die Stromdichte nicht all zu hoch für so eine einzelne Zelle ist, braucht es eben sehr viele solcher Zellen parallel geschalten.
So ein IGBT-Chip ist also eigentlich nichts anderes als eine riesen Ansammlung parallel geschaltenen kleinen IGBT's (den Zellen
).
Gruss Wildfoot