Probleme nach Speichererweiterung
 

Hallo

ich habe mir vor wenigen Tagen einen neuen 1GB-Speicherriegel gekauft. Seit dieser im Rachner ist habe ich nur noch Probleme.
z.B. startet der PC nicht sofort nach dem ich den Knopf drücke, sondern bleibt bei dem Siemens-Fujitsubild stehn. Nach mehrmaligen aus und an startet er dann.

z.B.#2
Ich verwende meinen PC grösstenteils für Spiele. Wenn ich den FSX starte dauerts nicht lange bis irgendeine Meldung kommt "Programm xxxbla blaxxx" muss beendet werden. "Sched" hies das letzte Programm dass beendet wurde.
Ähnliches auch bei Armed Assault. Will ich es starten, springt wie gewohnt das DVD Laufwerk mit der original-DVD an. Kurz darauf heisst es einfach "ArmA kann nicht gestartet werden". Dann klicke ich diese Meldung weg und versuche es erneut, plötzlich gehts.

Mein PC: Zusammengefasst durch Everest Home Edition


AMD Athlon(tm) 64 X2 Dual Core Processor 3800+

Motherboard:
Asus A8NE-FM (3 PCI, 1 PCI-E x16, 2 DDR DIMM, Audio, LAN, IEEE-1394)
Motherboard Chipsatz nVIDIA nForce4-4X, AMD Hammer

Es gibt 4 Speicherslots zwei sind durch 2x512MB belegt.
Slot 4 ist durch den neuen 1 GB Speicher belegt.
Slot 3 ist leer, da ich die Probleme bemerkt hatte als der 1GB Riegel dort drin war.

Hier die Speicher:
Gerätebeschreibung
DIMM1: Samsung M3 68L6523CUS-CCC
DIMM2: Samsung M3 68L6523CUS-CCC
DIMM4: Samsung M3 68L2923DUN-CCC <----DUN?

SPEICHERSLOT :1

Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Seriennummer F105CC70h
Herstellungsdatum Woche 51 / 2005
Modulgröße 512 MB (1 rank, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh

Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt

Speichermodulhersteller
Firmenname Samsung
Produktinformation http://www.samsung.com/Products/Semi...DRAM/index.htm

SPEICHERSLOT :2

Informationsliste Wert
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Seriennummer F102CC6Dh
Herstellungsdatum Woche 51 / 2005
Modulgröße 512 MB (1 rank, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh

Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt

Speichermodulhersteller
Firmenname Samsung
Produktinformation http://www.samsung.com/Products/Semi...DRAM/index.htm

SPEICHERSLOT :4 <--- neuer 1GB RIEGEL

Informationsliste Wert
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname Samsung M3 68L2923DUN-CCC
Seriennummer 061FF673h
Herstellungsdatum Woche 22 / 2007
Modulgröße 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh

Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt

Speichermodulhersteller
Firmenname Samsung
Produktinformation http://www.samsung.com/Products/Semi...DRAM/index.htm

Ich hoffe sehr ihr könnt mir helfen.
Besten Dank im voraus.

Mario

Lade Dir mal memtest und brenne es auf CD oder Diskette und teste damit den Speicher.
http://www.memtest.org/

Grüße
Reik