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WCM » News » Jänner 2001 » VIA & MoSys: 1T-SRAM

PCs & Komponenten
VIA & MoSys: 1T-SRAM
Veröffentlicht am 11.01.2001 00:00:00

VIA hat nun die 1T-SRAM-Technologie von MoSys lizenziert. SRAM ist bei gleicher Taktfrequenz schneller als DRAM, deswegen kommt es auch als Cache zum Einsatz. Normalerweise benötigen SRAM-Zellen mindestens sechs Transistoren, DRAMs hingegen nur einen Transistor und einen Kondensator und benötigen somit weniger Fläche.MoSys baut nun 1T-SRAM wie DRAM-Zellen auf, kann diese allerdings durch ihre patentierte Schaltungstechnik wesentlich schneller ansprechen und mit einer höheren Taktfrequenz betrieben. Da bei DRAMs eine Auffrischung des Speicherinhaltes nötig ist kommt dennoch ein spezieller Caching-Mechanismus zum Einsatz, der hierbei aus richtigen SRAMs besteht. Der Gewinn an der ganzen Sache ist, dass man diese im Gegensatz zu 6T-SRAMs rund 70 Prozent kleiner herstellen kann und sie dabei weniger als ein viertel an Leistung benötigen. Somit kann man wesentlich günstiger SRAMs produzieren, da 1T-SRAM nur 15 Prozent größer als gewöhnliche SDRAMs sind. Dies könnte den Cyrix-CPUs von VIA helfen, da man so trotzdem verhältnismäßig große Caches einbauen kann wobei der Preis trotzdem niedrig bleibt. Und das wichtigste dabei ist die wesentlich geringere Leistungsaufnahme, was diese Prozessoren für Notebooks usw. interessant macht.

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