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MRAM für eine neue PC-Generation
Veröffentlicht am 22.06.2004 14:48:21

Infineon & IBM haben nun die ersten 16-MBit-MRAM-Chips vorgestellt. Magnetoresistive Random Access Memory könnte die Nutzung des Computers deutlich verbessern. Der Speicher ist cirka so schnell wie SRAMs. Genaue Daten wurden hierzu nicht angegeben, Infineon gibt nur wage an, dass die MRAM-Chips rund 1.000 mal schneller sind als herkömmliche Flash-Speicher wie sie in jedem Speicherstick zum Einsatz kommen. Der Vergleich zu den Speichersticks wurde bewusst gewählt, denn genauso wie beim nichtflüchtigen Flash-Speicher bleiben die Dateninformationen ohne Strom auch bei MRAM erhalten.
Somit ist auch klar warum MRAMs den Computer deutlich besser machen werden. Dagegen ist Intels neuesten Chipset nur ein Gähnen wert. Das Betriebssystem, wurde es erstmals geladen, könnte so im MRAM bleiben und nach dem erneuten Einschalten des Rechners in vernachlässigbarer Zeit wieder bereit sein. Gebootet müsste nur mehr nach einem totalen Crash werden. Böse Zungen würden hier gleich wieder lästern, aber sooft stürzen moderne Betriebssysteme auch wieder nicht ab. Für Notebooks, PDAs und Co. wäre MRAM ein noch größerer Segen, da Strom hier ein noch wichtigeres Thema darstellt als beim Desktop. MRAMs benötigen sogar weniger Strom als herkömmliche DRAMs. Um die Lebensdauer muss man sich nicht unbedingt sorgen machen, denn laut Infineon können MRAM-Speicherzelle bis zu 1 Million mal öfter Informationen speichern als Flash-Bausteine. Ein Flash Speicher lässt sich rund 300.000 mal beschreiben. Somit sollte ein MRAM-Chip locker eine Rechnergeneration reichen…

Fertigungstechnisch hat Infineon und IBM einiges geleistet. Die 16 Millionen einzelnen Zellen (16 MBit) messen jede für sich nur 1,4 Quadratmikrometer. Nimmt man 5.000 dieser Zellen zusammen hätten sie die Dicke eines Haares. Die beiden Unternehmen arbeiten nun schon seit dem Jahr 2000 daran, doch nun werden MRAM-Module langsam Realität. Neben IBM und Infineon arbeiten übrigens noch Motorola, die regelmäßig Erfolge meldeten, sowie NEC und Samsung an MRAMs. Jetzt ist es eine Frage der Umsetzung, die Vorteile liegen klar auf der Hand.

Infineon; IBM

wan

Br@in Beiträge: 1469 Registriert: 2000-10-18

#132 Veröffentlicht am: 23.06.2004 00:29:28 Bei 400MHz reicht 300000000000mal für 2 Stunden. Wäre interessant auszurechnen mit welcher Wahrscheinlichkeit eine "beliebte" Speicherzelle pro Taktzyklus geschrieben wird? Die ständige Nutzung von ca. 64MB dürfte ein realistisches Modell dafür sein. Bei 64bit und 400Mhz ergibt sich genau ein Millionstel vom oben genannten. 2e6 Stunden . 228 Jahre DauerSeti *lol*

Robert Beiträge: 65538 Registriert: 2000-07-12

#133 Veröffentlicht am: 23.06.2004 09:48:58 nicht bei jedem Takt muss geschrieben werden... Den Arbeitsspeicher ansich wird es nicht ersetzen. Daten auf die man häufig zugreifen muss, die sich allerdings nicht oft ändern wären hierfür Kandidaten.

Spoon_Y Beiträge: 103 Registriert: 2002-01-22

#138 Veröffentlicht am: 24.06.2004 09:15:58 Laestigerweise gibt es jede Menge Prozesse die von sich aus staendig in ein Swap-File/eine Swap-Partition schreiben, da koennten die technisch moeglichen 3E11 Schreibzyklen trotzdem ganz schnell das Ende des Rechners bedeuten Daher waere wohl ein Mix aus MRAM und SRAM in der Maschine sinnvoll.

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