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PCs & Komponenten
MRAM der universelle Speicher
Veröffentlicht am 14.05.2000 23:00:00
In Zusammenarbeit mit den DigitalDNA Laboratories hat Motorola eine neue Speichertechnologie entwickelt. Dieser 'Magnetoresistive Random Access Memory' (MRAM) soll mehrere Speichervarianten in einem Chip unterstützen und somit die Vorteile der einzelnen nutzen und kombinieren können. Der Speicher hat eine Zugriffszeit von weniger als 15 Nanosekunden, und unendlich oft wiederbeschreibbar soll er auch sein. Auf der IEEE International Magnetic Conference im April erreichte man immerhin schon 14ns und lies ein paar Milliarden Schreibzyklen durchlaufen. Durch die Integration von Advanced CMOS und MRAM will man nun die Performance weiter steigern. Mit MRAM zielt Motorola auf Embedded-System-on-Chip-Lösungen für das eigene Halbleitergeschäft ab, somit ist der erste Einsatz in PDAs, Handys und Konsorten zu erwarten. MRAM soll dann nichtflüchtigem Flash-Speicher, vor allem beim Schreiben übertreffen. DRAM wird in der Disziplin Stromverbrauch geschlagen, da kein Refreshing nötig ist.
MRAM steht aber noch in der Entwicklung und wird noch ein, zwei Jahre benötigen bis dieser Marktreif ist. Zurzeit arbeitet man an einer Steigerung der Speicherdichte.
Veröffentlicht am 14.05.2000 23:00:00
In Zusammenarbeit mit den DigitalDNA Laboratories hat Motorola eine neue Speichertechnologie entwickelt. Dieser 'Magnetoresistive Random Access Memory' (MRAM) soll mehrere Speichervarianten in einem Chip unterstützen und somit die Vorteile der einzelnen nutzen und kombinieren können. Der Speicher hat eine Zugriffszeit von weniger als 15 Nanosekunden, und unendlich oft wiederbeschreibbar soll er auch sein. Auf der IEEE International Magnetic Conference im April erreichte man immerhin schon 14ns und lies ein paar Milliarden Schreibzyklen durchlaufen. Durch die Integration von Advanced CMOS und MRAM will man nun die Performance weiter steigern. Mit MRAM zielt Motorola auf Embedded-System-on-Chip-Lösungen für das eigene Halbleitergeschäft ab, somit ist der erste Einsatz in PDAs, Handys und Konsorten zu erwarten. MRAM soll dann nichtflüchtigem Flash-Speicher, vor allem beim Schreiben übertreffen. DRAM wird in der Disziplin Stromverbrauch geschlagen, da kein Refreshing nötig ist.
MRAM steht aber noch in der Entwicklung und wird noch ein, zwei Jahre benötigen bis dieser Marktreif ist. Zurzeit arbeitet man an einer Steigerung der Speicherdichte.
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