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PCs & Komponenten
Motorola: 256K MRAM
Veröffentlicht am 08.02.2001 00:00:00
Motorolas Entwicklungsabteilung hat nun offensichtlich Erfolg bei der Entwicklung von "Magnetoresistive Random Access Memory" (MRAM) gehabt. Schließlich hat man nun einen neuen 256K-MRAM-Chip vorgestellt. Bei dem Speicher kommt die 1T (ein Transistor)-Technologie in Verbindung mit einer Magnetic Tunnel Junction (MTJ) zum Einsatz. Die Schreib- und Lesezyklen des Speichers werden mit weniger als 50ns angegeben. MRAM bietet weiters die Vorteile, dass er nicht flüchtig ist, sprich auch ohne Strom seine Daten behält, und auch weniger Strom als DRAMs benötigt, da kein Refreshing nötig ist. Der Speicher verbraucht 24mW bei 3V und ist relativ günstig herzustellen. Bis dieser allerdings die derzeit gebräuchlichen Speicherchips ersetzen kann, wird es erst 2004 werden.
Veröffentlicht am 08.02.2001 00:00:00
Motorolas Entwicklungsabteilung hat nun offensichtlich Erfolg bei der Entwicklung von "Magnetoresistive Random Access Memory" (MRAM) gehabt. Schließlich hat man nun einen neuen 256K-MRAM-Chip vorgestellt. Bei dem Speicher kommt die 1T (ein Transistor)-Technologie in Verbindung mit einer Magnetic Tunnel Junction (MTJ) zum Einsatz. Die Schreib- und Lesezyklen des Speichers werden mit weniger als 50ns angegeben. MRAM bietet weiters die Vorteile, dass er nicht flüchtig ist, sprich auch ohne Strom seine Daten behält, und auch weniger Strom als DRAMs benötigt, da kein Refreshing nötig ist. Der Speicher verbraucht 24mW bei 3V und ist relativ günstig herzustellen. Bis dieser allerdings die derzeit gebräuchlichen Speicherchips ersetzen kann, wird es erst 2004 werden.
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