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PCs & Komponenten
Mitsubishi: Low-Power-RAM
Veröffentlicht am 28.03.2001 23:00:00
Mitsubishi kündigte nun für Juli die ersten Muster von Low-Power synchronous DRAMs (LP-SDRAMs) an. Gefertigt werden diese in einem 0,18µm Prozess. Sie benötigten eine Betriebsspannung von 2,5V anstatt der typischen 3,3 Volt. Dies soll durch ein eigenes Power-Management, welches die Temperatur-Kompensation der Self-Refresh-Rate sowie das optionale Ausblenden von Bereichen der Memory-Arrays beim Refresh steuert, erzielt werden. Somit sollen die I/O-Treiber auch nur 1,8 Volt benötigen.
Mitsubishi ist allerdings nicht der erste, Infineon kündigte solche Chips schon Mitte Februar an.
Veröffentlicht am 28.03.2001 23:00:00
Mitsubishi kündigte nun für Juli die ersten Muster von Low-Power synchronous DRAMs (LP-SDRAMs) an. Gefertigt werden diese in einem 0,18µm Prozess. Sie benötigten eine Betriebsspannung von 2,5V anstatt der typischen 3,3 Volt. Dies soll durch ein eigenes Power-Management, welches die Temperatur-Kompensation der Self-Refresh-Rate sowie das optionale Ausblenden von Bereichen der Memory-Arrays beim Refresh steuert, erzielt werden. Somit sollen die I/O-Treiber auch nur 1,8 Volt benötigen.
Mitsubishi ist allerdings nicht der erste, Infineon kündigte solche Chips schon Mitte Februar an.
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