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PCs & Komponenten
Intel stellt neue und schnellere StrataFlash Speicher vor
Veröffentlicht am 02.10.2001 23:00:00
Intel stellte heute einen neuen Flash Speicher-Chip vor, der die Leistung von Mobiltelefonen, Personal Digital Assistants und weiteren drahtlosen Geräten verbessert. Der 3 Volt synchrone StrataFlash Speicher soll Daten bis zu fünfmal schneller lesen, als als die vorhergehende StrataFlash Generation. Programme werden schneller ausgeführt und der Zugriff auf Daten wird beschleunigt. Im Burst Mode können angeblich bis zu 92MB/s vom Speicher übertragen werden.
Der neue Speicherbaustein stellt die dritte Generation der Intel Multi-Level Cell (MLC) Technologie dar und wird mit der 0.18-Mikron Prozesstechnologie gefertigt. Intel führte MLC-Technologie 1997 mit der ersten StrataFlash Generation ein.
Curt Nichols,Vice President und General Manager der Intel Flash Products Group meint zu der neuen Modellgeneration:'Mit den neuen Intel StrataFlash Speichern für Mobiltelefone setzt Intel einen neuen Standard für Leistung und Zuverlässigkeit. Seit 1997 haben wir mehr als 2 Milliarden Megabits an Intel StrataFlash ausgeliefert. Im nächsten Jahr rechnen wir mit einer Verdopplung dieser Zahl, da mehr Mobiltelefone unsere Technologie nutzen werden.'
Synchroner Intel StrataFlash Speicher besitzt eine hohe Lesegeschwindigkeit durch einen Burst Mode und einen Eight-Word Page Mode. Schnelle Lesezugriffe ermöglicht es Software-Anwendungen direkt im Flash-Speicher auszuführen, ohne die Programme zuvor in einen anderen Speicher kopieren zu müssen, was bisher nicht sinnvoll war. Synchroner StrataFlash Speicher verwendet 3 Volt für den Kern und ist mit I/O-Spannungen von 3 Volt oder 1,8 Volt verfügbar.
Das StrataFlash Memory wird mit Dichten von 64Mbitbis 256Mbit angeboten. Muster der 128Mbit Version sind schon verfügbar, während die volle Produktion im April 2002 startet. Bei einer Abnahme von 10.000 Stück kosten die 64Mbit Chips jeweils 10 Dollar und die 256Mbit Chips 35 Dollar.
Veröffentlicht am 02.10.2001 23:00:00
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Der neue Speicherbaustein stellt die dritte Generation der Intel Multi-Level Cell (MLC) Technologie dar und wird mit der 0.18-Mikron Prozesstechnologie gefertigt. Intel führte MLC-Technologie 1997 mit der ersten StrataFlash Generation ein.
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