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PCs & Komponenten
Intel stellt kleinsten Transistor der Welt her
Veröffentlicht am 11.12.2000 00:00:00
Dem Halbleiterkönig ist es nun gelungen CMOS-Transistoren herzustellen die nur 30 Nanometer effektive Gatelänge aufweisen und 3 Atomlagen dick sind. Dies ist ein gewaltiger Durchbruch und sichert die Entwicklung immer schneller und komplexerer CPUs. Man denkt, dass man in fünf bis zehn Jahren in der Lage ist Prozessoren mit über 400 Millionen Transistoren herstellen zu können, die mit bis 10 Ghz getaktet werden können und auch noch weniger als 1V benötigen. Die Frage ist nur wie viele Fehler dann solch ein Wunderwerk aufweist…Mit dieser gewaltigen Rechenleistung wird man jedoch in der Lage sein Science-Fiction in Realität umwandeln zu können. Somit beweist Intel, dass auch wenn das Prozessor-Geschäft nicht so gut läuft man immer noch der Konkurrenz zeigen kann wo das Silizium herkommt.
Dieser Durchbruch erlaubt Intel auch weiterhin die Leistung von Prozessoren zu steigern und deren Kosten zu senken', so Sunlin Chou, Vice President und General Manager der Intel Technology und Manufacturing Group. 'Moore's Law bleibt auch in Zukunft gültig, wie dieser Vorstoß in neue Regionen der Forschung beweist.'
Hält man sich vor Augen, dass man mehr als 100.000 Gate-Oxid-Schichten bräuchte um auf die Stärke eines Blatt Papiers zu kommen, erhält man großen Respekt vor den Intel-Wissenschaftlern die Transistoren mit nur 3 Atomlagen hergestellt haben. Der Transistor soll innerhalb einer Picosekunde seinen Spannungszustand ändern können, was ihn zum schnellste Schaltelement der Welt macht.
'Einige Experten dachten, es wäre unmöglich, so kleine CMOS-Transistoren zu bauen. Elektrische Phänomene würden dies verhindern. Unsere Forschung beweist, dass sich ultra-kleine Transistoren genauso verhalten, wie wir es gewohnt sind. Außerdem zeigt unsere Forschung, dass es keine grundlegenden Hindernisse gegen die zukünftige Massenfertigung solcher Bauelemente gibt', sagte Dr. Gerry Marcyk, Director der Intel Components Research Lab, Technology und Manufacturing Group. 'Das Wichtigste an den 30-Nanometer-Transistoren seien jedoch deren Merkmale: Sie sind klein, schnell und arbeiten mit geringer Stromspannung. Normalerweise kann man nur zwei der drei Merkmale verbessern - alle drei positiv zu beeinflussen ist schon eine große Leistung.'
Veröffentlicht am 11.12.2000 00:00:00
Dem Halbleiterkönig ist es nun gelungen CMOS-Transistoren herzustellen die nur 30 Nanometer effektive Gatelänge aufweisen und 3 Atomlagen dick sind. Dies ist ein gewaltiger Durchbruch und sichert die Entwicklung immer schneller und komplexerer CPUs. Man denkt, dass man in fünf bis zehn Jahren in der Lage ist Prozessoren mit über 400 Millionen Transistoren herstellen zu können, die mit bis 10 Ghz getaktet werden können und auch noch weniger als 1V benötigen. Die Frage ist nur wie viele Fehler dann solch ein Wunderwerk aufweist…Mit dieser gewaltigen Rechenleistung wird man jedoch in der Lage sein Science-Fiction in Realität umwandeln zu können. Somit beweist Intel, dass auch wenn das Prozessor-Geschäft nicht so gut läuft man immer noch der Konkurrenz zeigen kann wo das Silizium herkommt.
Dieser Durchbruch erlaubt Intel auch weiterhin die Leistung von Prozessoren zu steigern und deren Kosten zu senken', so Sunlin Chou, Vice President und General Manager der Intel Technology und Manufacturing Group. 'Moore's Law bleibt auch in Zukunft gültig, wie dieser Vorstoß in neue Regionen der Forschung beweist.'
Hält man sich vor Augen, dass man mehr als 100.000 Gate-Oxid-Schichten bräuchte um auf die Stärke eines Blatt Papiers zu kommen, erhält man großen Respekt vor den Intel-Wissenschaftlern die Transistoren mit nur 3 Atomlagen hergestellt haben. Der Transistor soll innerhalb einer Picosekunde seinen Spannungszustand ändern können, was ihn zum schnellste Schaltelement der Welt macht.
'Einige Experten dachten, es wäre unmöglich, so kleine CMOS-Transistoren zu bauen. Elektrische Phänomene würden dies verhindern. Unsere Forschung beweist, dass sich ultra-kleine Transistoren genauso verhalten, wie wir es gewohnt sind. Außerdem zeigt unsere Forschung, dass es keine grundlegenden Hindernisse gegen die zukünftige Massenfertigung solcher Bauelemente gibt', sagte Dr. Gerry Marcyk, Director der Intel Components Research Lab, Technology und Manufacturing Group. 'Das Wichtigste an den 30-Nanometer-Transistoren seien jedoch deren Merkmale: Sie sind klein, schnell und arbeiten mit geringer Stromspannung. Normalerweise kann man nur zwei der drei Merkmale verbessern - alle drei positiv zu beeinflussen ist schon eine große Leistung.'
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