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Infineon unterstützt 157nm Lithographie
Veröffentlicht am 11.06.2003 14:01:24

Bis 2007 sollen mit dem neuen Verfahren DRAMs mit 55nm produziert werden Ende des letzten Monats berichteten wir, dass Intel sein Interesse an einem neuen und verbesserten Verfahren zur Herstellung von Mikrochips verworfen hatte und sich damit den Unmut vieler Unternehmen, die an der Entwicklung beteiligt waren, einbrachte. Nun will Infineon die 157nm Technologie unterstützen.

Intel befürchtete nicht überwindbare Probleme mit der 157nm Lithographie, bei der die Chips mit Hilfe von UV Bestrahlung aus den Silizium Wafern hergestellt werden. So wird bei dem Verfahren ein resistentes Mittel auf die Wafer aufgetragen, um als Maske die späteren Formen der Bauteile und Leiterbahnen vor dem UV Licht zu schützen. Dieses Material ist jedoch sehr teuer, schwer zu produzieren und bisher kaum in ausreichender Menge lieferbar.
Damit beschloss man bei Intel das aktuelle 193nm UV Verfahren beizubehalten und zu verbessern, um dann später direkt auf die 13nm EUV-Technologie umzusteigen, die Chips von weit unter 32nm Dichte herzustellen (aktuell sind es 130 und 90nm).
Nun waren in die Entwicklung der 157nm Technologie bereits Milliarden an Forschungsgeldern geflossen und obwohl noch andere Halbleiterhersteller an der 157nm Technik interessiert sind, galt Intel als größter Abnehmer der Fertigungsmaschinen.

Nun will der deutsche Halbleiterhersteller Infineon das 157nm Verfahren unterstützen und beteiligt sich an der Entwicklung der benötigten UV-resistenten Materialien, um möglichst schnell eine Produktion in ausreichenden Mengen zu ermöglichen.
Infineon selbst will den 157nm Prozess bei DRAMs in 55nm Bauform anwenden und hofft bis 2007 mit der Fertigung beginnen zu können.
Einer der ersten 157nm Maschinen weltweit soll im Infineon Werk in Dresden eingesetzt werden. Auch ohne die Unterstützung Intels will man das neue Verfahren Massentauglich machen und bis zur Einführung von EUV die Größe der Bauformen weiter verkleinern.

Infineon

AlexG

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