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Samsung: 4Gbit SDRAM Veröffentlicht am: 09.02.2001 00:00:00 Auf der International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) stellte Samsung nun einen 4 Gbit DDR-SDRAM-Baustein vor. Dieser besitzt acht Speicherfelder mit insgesamt 4,29 Milliarden Speicherzellen. Um all die Gatter auch unterbringen zu können, werden die Chips in 0,10µm gefertigt. Die Module verfügen auch über zusätzliche Schaltungen um Samsung hat bereits 160 Patente im Zuge der 4 Gbit-Chips angemeldet.
Gedruckt von WCM (http://www.wcm.at/contentteller.php/news_story/samsung_4gbit_sdram.html)
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