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Infineon: RLDRAM Veröffentlicht am: 11.04.2001 23:00:00 Niedrige Latenzzeiten bei Speicherchips bringen eine Menge an Geschwindigkeit. Mit ihr steigt auch die mögliche Taktrate und somit auch die Bandbreite. Infineon stellte nun RLDRAM vor. Das Reduced Latency DRAM bietet genau das. Es kann mit Taktfrequenzen von 300MHz arbeiten wobei es auch noch mit einem DDR-(Double Data Rate)-Interface daher kommt. Es arbeitet wie erwähnt mit niedrigeren Zugriffszeiten, da es mit Zykluszeiten von nur 25 Nanosekunden arbeitet. Herkömmliche SDRAMs arbeiten mit 50ns. Auch die Spannungsaufnahme ist geringer. Während standardmäßig 3,3 V benötigt wird, arbeitet RLDRAM mit 1,8 bis 2,5 Volt. Somit können auch Taktraten von 300MHz erreicht werden was dank DDR 600Mbit/s entspricht. Bei einer 32Bit Organisation (256Mbit Modul mit 8M x 32) werden somit rein rechnerisch 2,4GByte/s an Bandbreite erreicht. Bei einer 16 Bit Organisation (16M x 32) sind es immerhin noch 1,2Gbyte/s. Durch die niedrigen Latenzzeiten und die hohe Bandbreite ergibt sich das Einsatzgebiet von allein. Dieses ist klar im Netzwerkbereich bei Routern und Switches angesiedelt. Da RLDRAM günstiger als SRAM ist, wird es auch schnell Abnehmer finden. Durch das T-FBGA-144-(Thin-Profile Ball Grid Array) Gehäuse können Entwickler auf das Adress-Multiplexing zu verzichten, welches bei DRAM-Produkten in TSOPs nötig ist. Zudem hat es den Vorteil, dass das Gehäuse parasitäre Effekte bei höheren Frequenzen verringert und eine bessere Wärmeabfuhr bietet. Die ersten 256-Mbit-RLDRAM-Muster werden im 3 Quartal erschienen.
Gedruckt von WCM (http://www.wcm.at/contentteller.php/news_story/infineon_rldram.html)
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