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Infineon: Aber rauschfrei Veröffentlicht am: 22.05.2001 23:00:00 Infineon Technologies kündigte nun die Verfügbarkeit ihrer neuen Verstärker-Chips für Dual-Band-Handys an. Die Chips werden in einer Silizium Germanium-(SiGe)-Bipolar-Technologie (B7HF) gefertigt und bestechen vor allem durch ihr geringes Rauschen. Die B7HF-Technologie wurde speziell für die Anforderungen von mobilen Kommunikationssystemen und schnellen Datenübertragungsstandards entwickelt. Neben diesem bipolaren Prozess bietet Infineon auch hochintegrierte Produkte auf Basis eines SiGe-BiCMOS-Prozesses unter der Bezeichnung B7HFc, der denselben bipolaren Transistor nutzt. Die SiGe-Prozesse ermöglichen innovative Lösungen für analoge, Mixed-Signal- und hochintegrierte HF-Produkte wie z.B. rauscharme Verstärker (LNA), Mischer, PLLs (bis zu 10 GHz), Transceiver und AD-Wandler. Der Dual-Band LNA (Low Noise Amplifier) PMB2364 hat bei einer Verstärkung von 19 dB einen Rauschwert von nur 1,3 dB bei 0,95 GHz bzw. 1,5 dB bei 1,85 GHz. Dies ist dabei der B7HF-Prozesstechnologie zu verdanken welche Transistfrequenzen von bis zu 75 GHz bietet. Der Chip arbeitet weiters mit einer Versorgungsspannung von 2,7 V bis 3,6 V. Der PMB2364 ist in einem platzsparenden P-TSSOP-10-Gehäuse in Volumen-Stückzahlen verfügbar.
Gedruckt von WCM (http://www.wcm.at/contentteller.php/news_story/infineon_aber_rauschfrei.html)
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