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IBM: Trotz SiGe 210 GHz Veröffentlicht am: 25.06.2001 23:00:00 IBM veröffentlichte nun die neuesten Errungenschaften in der Halbleitertechnologie. Trotz Silizium-Germanium-Technologie sollen Taktraten von über 200 GHz möglich sein. Bis jetzt nahm man an, dass man nur mittels anderer Materialien über 10 GHz käme. IBM hat es nun geschafft einen 210 GHz Transistor herzustellen. In zwei Jahren sollen dann Chips mit über 200 GHz Realität sein. Möglich wurde dies durch ein neues Transistor Design. Dieses verkürzt den "Weg des Stroms". Einer der Faktoren wie schnell ein Transistor schalten kann, ist eben die Leitgeschwindigkeit. Ein Schritt zur schnelleren Halbleitern war das hinzufügen von Germanium. Der neue Silizium-Germanium-Transistor trägt übrigens die Bezeichnung 'Heterojunction Bipolar Transistor' (HBT).
Gedruckt von WCM (http://www.wcm.at/contentteller.php/news_story/ibm_trotz_sige_210_ghz.html)
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