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[CeBIT] Der kleinste SRAM Chip mit 90nm Veröffentlicht am: 13.03.2002 00:00:00 Intel hat es wieder einmal geschafft. Auf der Pressekonferenz anlässlich der diesjährigen CeBIT zeigte man Bilder des ersten funktionsfähigen Chips, der in 90nm-Technologie gefertigt wurde. Genauer gesagt handelt es sich um SRAM Chips. Intel spricht von einem neuen Meilenstein, aber de facto will man wohl vor allem darauf hinweisen, dass man bald so weit sein wird, und man problemlos imstande sein wird, wie bisher alle zwei Jahre den Fertigungsprozess zu verkleinern. Die 90nm Strukturen ermöglichen wie jede Verkleinerung des Fertigungsprozesses eine erhebliche Platzeinsparung auf dem Wafer, und ermöglicht mehr Transistoren bei gleichbleibender Prozessorfläche unter zu bringen. Da die Fertigungskosten in etwa gleich bleiben, erhält man zum gleichen Preis immer höhere Leistungen. Nur zur Verdeutlichung: Eine einzelne Zelle der 90nm SRAM Anordnung hat eine Fläche von lediglich 1µm². Die voll funktionsfähigen SRAM Bausteine haben eine nie da gewesene Datendichte von 52MBit. Es drängen sich gleich 330 Millionen MOSFET Transistoren auf nur 109 mm²ž Fläche. Zum Vergleich: Eine Pentium 4 CPU hat nicht mehr als 60 Millionen Transistoren. Die Technologie soll bereits Mitte 2003 in die volle Produktion gehen. Auf 300mm Wafern versteht sich. Gefertigt wurden die Chips in Intels High-End Entwicklungsfabrik D1C in Hillsboro-Oregon mit einer Kombination aus 193 und 248nm Lithographie. |