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512 MB DDR SDRAM in 0.10 Mikron Veröffentlicht am: 30.10.2002 09:44:12 Hynix mit 512 MB DDR SDRAM in 0.10 Mikron Technologie noch dieses Jahr Der DRAM Hersteller Hynix gab an, Ende des Jahres DDR SDRAM in 0.10 Mikron Technologie ausliefern zu wollen. Als Einsatzbereich ist der PC als auch der Serverbereich vorgesehen. Es werden DDR 266, DDR 333 und DDR 400 kompatible Speichermodule noch Ende dieses Jahres ausgeliefert werden. Die Produktion der 256MB und 1GB DDR SDRAM Module ebenfalls in 0.10 Mikron Technologie werden in der ersten Hälfte des nächsten Jahres erwartet. Die Module werden in den Werken Ichon, Choongju, and Eugene, Oregon hergestellt. (EBN) Pit |